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エア・リキード エレクトロニクス:ジルコニウムベース高誘電率絶縁膜プレカーサの特許ポートフォリオを強化

エア・リキード エレクトロニクスはこのたび、中国特許庁から半導体製造におけるZyALD™アプリケーションに関する特許を取得しましたのでお知らせします。エア・リキードは、このところ韓国、台湾、ヨーロッパ諸国で相次いで同様の特許を取得しており、他の国での波及効果も期待しています。ZyALD™や、その他の高誘電率薄膜用プレカーサに関しては現在世界中で11件の特許を取得し、13件が申請中です。

ZyALD™ – トリス(ジメチルアミノ)シクロペンタジエニル・ジルコニウム – は、これら特許取得済みジルコニウムプレカーサの中でも中核となるもので、半導体製造におけるジルコニウムベース高誘電率絶縁膜形成のために高温度域での原子層堆積法(ALD)を可能にします。ZyALD™は2006年に半導体産業向けに導入され、現在高温下では性能を発揮できなかった従来の物質に取って代わり、DRAM製造に使われる高誘電率薄膜プレカーサとして、世界の主流となっています。ZyALD™はさらにBEOL MIM構造やe-DRAMの高誘電率層形成にも使われています。

高揮発性、温度安定性、高成膜速度といった優れた特性を持つZyALD™は、従来方法から容易に交換可能な材料として、ダウンタイムフリーの転換を可能にし、拡大する半導体製造のニーズに対応します。

ZyALD™は、カリフォルニア(米国)、シャロン(仏)、およびつくば(日本)にあるALOHA™製造センターにて製造し、世界中のお客様にお届けしています。ALOHA製品群は最先端の半導体製造技術の課題に応え、ナノエレクトロニクス製造に使われる薄膜素材の電気的、機械的性能を向上させ、多様な新規アプリケーションの開発を加速させます。ALOHA製品ラインには最先端デバイス製造のためのCVD及びALD向けアドバンスド・プレカーサを幅広くご用意しており、シリコンプレカーサや高誘電率薄膜材料の大量供給から数グラムの実験開発用の少量ニーズに至るまで多様な対応をさせていただきます。ALOHA™プレカーサは、超高純度材料用容器に充てんされ、最先端分析技術を誇るエア・リキードBALAZS™社による厳格なスペック管理の下、提供いたします。エア・リキードが所有する知的財産権の使用許可も包含した提案も可能です。

ジャン・マーク・ジラール、エア・リキード エレクトロニクスCTOのコメント: 
「お客様の製造プロセスは日々、その要求事項が高くなっています。エア・リキードは、これにお応えするよう、イノベーティブな製品の提供につとめています。ZyALD™は、ALOHA™製品の中でも最も好評をいただいている製品のひとつです。今後もユニークな製品を市場にお届けできるよう、研究開発への投資を継続します。」

※ このプレスリリースは2013年3月19日に英語で発表されたものの翻訳です。

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